Datasheet下载- 型号： BC847BPDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847BPDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847BPDXV6T1价格参考。ON SemiconductorBC847BPDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BC847BPDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC847BPDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC847BPDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，采用SOT-563封装，内含两个独立的NPN型晶体管（共发射极配置），具有匹配特性（如hFE、VBE、开关时间等），适用于高一致性要求的应用。 典型应用场景包括： - 差分放大电路：利用其配对特性实现高共模抑制比（CMRR）的前置放大器或运算放大器输入级； - 电流镜电路：作为精密电流复制/偏置单元，广泛用于模拟IC、电源管理芯片的内部偏置网络； - 逻辑电平转换与驱动：在低功耗微控制器接口中驱动LED、小型继电器或MOSFET栅极； - 传感器信号调理：配合热敏电阻、桥式传感器等构成简单放大或比较电路； - 便携式与空间受限设备：得益于超小型SOT-563封装（尺寸仅1.6×1.6×0.55 mm），适用于智能手机、可穿戴设备、TWS耳机等对PCB面积敏感的终端产品。 该器件具备±10% hFE匹配精度、高增益（典型hFE=220–475）、低饱和压降（VCE(sat) < 0.1 V @ IC=10 mA），支持-55°C至+150°C宽温工作，兼具可靠性与成本优势，是消费电子与工业控制中兼顾性能与集成度的优选双晶体管方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BC847BPDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA / 650mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | BC847BPDXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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