【未分类_BAS383-TR】封装/厂家_BAS383-TR中文资料_价格

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型号： BAS383-TR
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BAS383-TR由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAS383-TR价格参考。VishayBAS383-TR封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BAS383-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BAS383-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Semiconductor Diodes Division的BAS383-TR是一款小信号肖特基二极管，属于二极管 - 整流器 - 单类别。其典型应用场景如下：

 1. 高频整流
   - BAS383-TR具有低正向压降（典型值约为0.3V）和快速恢复时间（约4ns），适合用于高频电路中的整流任务。例如，在开关电源或DC-DC转换器中，可以用来将高频交流信号转换为直流信号。

 2. 保护电路
   - 该二极管常用于防止反向电压或电流对敏感电子设备造成损害。例如，在电池供电设备中，可以用作防反接保护，确保即使电池极性接反也不会损坏电路。

 3. 信号分离
   - 在多路信号输入的场景中，BAS383-TR可用于分离不同的信号路径。例如，在音频或射频电路中，它可以帮助隔离特定频率范围的信号。

 4. 钳位与限幅
   - BAS383-TR可用作钳位二极管，限制电路中的电压范围，避免过压对后续电路的影响。例如，在数据传输线路中，它可以保护接收端免受瞬态电压尖峰的损害。

 5. 续流保护
   - 在电感性负载（如继电器、电机等）的驱动电路中，BAS383-TR可用作续流二极管，吸收电感产生的反向电动势，防止损坏驱动晶体管。

 6. RF电路应用
   - 由于其快速开关特性和低结电容，BAS383-TR适合应用于射频（RF）电路中，例如混频器、检波器或调制解调器电路。

 总结
BAS383-TR凭借其低正向压降、快速开关速度和小型化封装（SOT-23），非常适合用于便携式设备、通信设备、消费类电子产品以及工业控制领域中的高频、低功耗应用。在设计时需注意其额定电流（最大200mA）和反向电压（最大40V）的限制，以确保安全运行。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	DIODE SCHOTTKY 500MA MICROMELF肖特基二极管与整流器 60 Volt 30mA 500mA IFSM
产品分类	单二极管/整流器分离式半导体
品牌	Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors BAS383-TR*
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BAS383-TRBAS383-TR
产品	Schottky Diodes
产品种类	肖特基二极管与整流器
商标	Vishay Semiconductors
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	Micro MELF
峰值反向电压	60 V
工作温度范围	+ 125 C
工厂包装数量	2500
技术	Silicon
最大反向漏泄电流	0.2 uA
最大工作温度	+ 125 C
最大浪涌电流	0.5 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	2,500
正向电压下降	1 V at 0.015 A
正向连续电流	0.03 A
系列	BASxx
配置	Single