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详细数据请看参考数据手册
- 型号： APTM50DAM17G
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APTM50DAM17G由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APTM50DAM17G价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APTM50DAM17G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APTM50DAM17G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APTM50DAM17G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
APTM50DAM17G 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）生产的一款碳化硅（SiC）MOSFET 功率晶体管，广泛应用于高效率、高频率的电力电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 新能源汽车充电系统：适用于车载充电器（OBC）和充电桩电源模块，因其高耐压、低导通损耗和高频特性，有助于提升充电效率和功率密度。 2. 光伏逆变器：用于太阳能发电系统中的DC-AC逆变器，SiC MOSFET的高效性能可显著提升能量转换效率，尤其适合高温和高功率环境。 3. 工业电源与UPS系统：适用于不间断电源（UPS）、服务器电源和工业变频器，支持高频开关，减小磁性元件体积，提高系统整体能效。 4. 储能系统（ESS）：用于电池储能系统的双向DC-DC变换器或逆变器中，支持高效能量回馈和稳定输出。 5. 电机驱动与变频器：适用于高性能电机控制和工业自动化设备，提供快速开关响应和更低的开关损耗。 该器件具备高可靠性、耐高温和抗辐射特性，适合在严苛环境下运行，是替代传统硅基MOSFET和IGBT的理想选择，尤其在追求高效能与小型化设计的应用中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 180A SP6 |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/8164-aptm50dam17g-rev2-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | APTM50DAM17G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 10mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 28000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 560nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 毫欧 @ 90A，10V |
| 供应商器件封装 | SP6 |
| 功率-最大值 | 1250W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP6 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 180A |
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