Datasheet下载- 型号： AFT21S140W02GSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT21S140W02GSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT21S140W02GSR3价格参考。Freescale SemiconductorAFT21S140W02GSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT21S140W02GSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT21S140W02GSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AFT21S140W02GSR3 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频（RF）MOSFET 晶体管，广泛应用于射频功率放大领域。该器件特别适用于工作频率在 UHF（特高频）至微波频段的通信系统，如蜂窝基站、无线基础设施、广播系统和工业、科学及医疗（ISM）频段设备。 该MOSFET具有高功率密度和良好的热稳定性，适合用于要求高效率和高线性度的射频放大器设计。其典型应用包括： 1. 蜂窝通信基站：如4G LTE和5G基站中的射频功率放大器模块，用于增强信号传输距离和覆盖范围； 2. 广播发射系统：如FM广播和电视广播中的功率放大； 3. 无线基础设施设备：如WiMAX、点对点通信系统等； 4. 测试与测量设备：用于射频信号源或放大器的测试平台； 5. 工业与军事通信系统：适用于需要高可靠性和高稳定性的专业通信设备。 该器件采用SMD（表面贴装）封装，便于自动化生产和高频电路布局，适合高密度PCB设计。在使用时需注意散热设计，以确保其在高功率工作状态下的稳定性和寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF LDMOS 32W NI-780S-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT21S140W02GSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780GS-2 |
| 功率-输出 | 32W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.3dB |
| 封装/外壳 | NI-780GS-2 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 800mA |
| 频率 | 2.14GHz |
| 额定电流 | - |
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