Datasheet下载- 型号： AFT21H350W04GSR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT21H350W04GSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT21H350W04GSR6价格参考。Freescale SemiconductorAFT21H350W04GSR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT21H350W04GSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT21H350W04GSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AFT21H350W04GSR6 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频（RF）功率 MOSFET 晶体管，广泛应用于高功率射频放大器领域。该器件特别适用于蜂窝基站、广播系统、工业加热设备及测试仪器等需要高效、高功率射频输出的场景。其高耐压、低损耗特性使其在高频环境下仍能保持稳定性能，适合用于4G/5G通信基础设施、广播发射机以及射频能量应用中。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，适合长时间高负荷运行环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF NCH 65V 2170MHZ |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT21H350W04GSR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S-4 鸥翼型 |
| 功率-输出 | 63W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.4dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S-4 GW |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 750mA |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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