Datasheet下载- 型号： AFT18HW355SR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT18HW355SR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT18HW355SR5价格参考。Freescale SemiconductorAFT18HW355SR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT18HW355SR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT18HW355SR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AFT18HW355SR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为高频率、高效率、高功率的无线通信应用设计。其典型工作频率范围为 1805–1880 MHz（适用于 LTE Band 3 上行/下行），输出功率可达 355 W（峰值），具备高增益（约 17 dB）、高漏极效率（>65%）及优异的热稳定性和可靠性。 主要应用场景包括： - 4G/5G 宏基站功率放大器（PA）：广泛用于蜂窝通信基站的末级射频功放模块，支持高线性度与宽带宽要求； - TDD/FDD 基站系统：适配多制式（如 LTE、NR）的射频前端，在中频段（1.8 GHz）提供高效功率输出； - 无线基础设施设备：如分布式基站（DAS）、小型基站（Small Cell）的高功率扩展单元； - 广播与专业通信系统：如公共安全通信、专用移动无线电（PMR）等需高可靠射频放大的场景。 该器件采用陶瓷封装（SOT-1222B），集成ESD保护和优化的热设计，便于散热管理，适用于严苛工业环境。注意：实际应用中需配合匹配网络、偏置电路与驱动级设计，并遵循NXP官方参考设计（如AN11498）以确保线性度与ACLR指标满足3GPP规范要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 1.8GHZ NI1230S-4S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | AFT18HW355SR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 功率-输出 | 63W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15.2dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 1.81GHz ~ 1.88GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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