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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 74AUP1G38GM,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供74AUP1G38GM,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 74AUP1G38GM,115价格参考。NXP Semiconductors74AUP1G38GM,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载74AUP1G38GM,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有74AUP1G38GM,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
74AUP1G38GM,115 是 NXP USA Inc. 推出的超低功耗单路2输入NAND门（带开漏输出），属于逻辑 - 栅极和逆变器类别。其典型应用场景包括： - 电池供电设备：凭借AUP系列超低静态电流（通常<0.5 µA）和宽工作电压范围（0.8 V–3.6 V），广泛用于智能穿戴、无线传感器节点、RFID标签等对功耗极度敏感的便携式设备。 - 电平转换与总线接口：开漏输出支持上拉至不同电压轨，可实现1.2 V/1.8 V/2.5 V/3.3 V系统间的双向电平转换，常用于I²C总线缓冲、GPIO扩展或MCU与外围器件（如EEPROM、温湿度传感器）的通信隔离。 - 使能/控制信号生成：作为NAND门，可用于组合逻辑控制，例如将两个使能信号（如“电源就绪”+“复位完成”）进行逻辑与非运算，生成系统启动许可信号；或配合上拉电阻构成简单的线与（Wired-AND）功能。 - 噪声抑制与信号整形：内置施密特触发输入（部分版本支持，需查证具体数据手册；该型号为标准输入，但AUP系列具较强抗噪能力），适用于按键去抖、缓慢变化信号（如模拟比较器输出）的数字化整形。 - 空间受限设计：采用超小型XSON6（1.2×1.0 mm）封装，适合高密度PCB布局，常见于智能手机、TWS耳机、微型模块等对尺寸严苛的终端产品。 注：实际应用中需注意开漏输出必须外接上拉电阻，并确认负载电容与速度要求（tPD约3.4 ns @ 3.3 V），以满足时序需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC GATE NAND 1CH 2-INP 6-XSON |
| 产品分类 | 逻辑 - 栅极和逆变器 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 74AUP1G38GM,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 74AUP |
| 不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 12.7ns @ 3.3V， 30pF |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24983 |
| 供应商器件封装 | 6-XSON，SOT886（1.45x1） |
| 其它名称 | 568-9156-6 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-XFDFN |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 标准包装 | 1 |
| 特性 | 开路漏极 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-micropak/1262 |
| 电压-电源 | 0.8 V ~ 3.6 V |
| 电流-输出高，低 | -，4mA |
| 电流-静态（最大值） | 0.5µA |
| 电路数 | 1 |
| 输入数 | 2 |
| 逻辑电平-低 | 0.7 V ~ 0.9 V |
| 逻辑电平-高 | 1.6 V ~ 2 V |
| 逻辑类型 | 与非门 |
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