图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： 71V65803S133BG
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V65803S133BG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V65803S133BG价格参考。Integrated Device Technology71V65803S133BG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V65803S133BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V65803S133BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）的71V65803S133BG是一款高性能、低功耗的3.3V CMOS静态RAM（SRAM），容量为2M × 18位（即36Mb），采用133MHz时钟同步接口（QDR-II架构），BGA封装（165-ball fine-pitch BGA，13×13mm）。 该器件主要面向高速、低延迟数据缓存与缓冲场景，典型应用包括： - 网络通信设备：在高端路由器、交换机和网络处理器（NPU）中用作包缓存、队列管理或查找表（如TCAM辅助缓存）； - 电信基础设施：基站（如4G/LTE BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中的帧缓冲、速率适配和突发数据暂存； - 测试与测量仪器：高速逻辑分析仪、协议分析仪中实现深度实时数据采集与暂存； - 军事/航天嵌入式系统：因具备工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）及高可靠性，适用于雷达信号处理、航电数据缓冲等对确定性延迟敏感的场景。 其QDR-II双数据速率特性（读/写可同时进行，独立端口）特别适合需要高吞吐、零等待周期的读写并行应用。需注意：该型号已进入IDT产品生命周期末期（EOL），当前多由瑞萨电子（Renesas，2019年收购IDT）提供支持或推荐替代型号（如RZ系列QDR SRAM）。
产品参数
图文手册
常见问题
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
71V65803S133BG 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商