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- 型号： 71V65803S100BGG
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V65803S100BGG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V65803S100BGG价格参考。Integrated Device Technology71V65803S100BGG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V65803S100BGG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V65803S100BGG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）的71V65803S100BGG是一款高速、低功耗的3.3V CMOS静态RAM（SRAM），容量为2M×18位（即36Mb），采用100引脚BGA封装，访问时间为10ns。其典型应用场景包括： - 网络通信设备：用于高端路由器、交换机及网络处理器（NPU）中的数据包缓存、查找表（LUT）、FIFO缓冲或临时队列管理，满足高带宽与低延迟需求； - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（如OTN/SDH帧处理器）中作为高速暂存存储器，支持实时信号处理与协议解析； - 工业与嵌入式系统：适用于高性能工控主板、可编程逻辑控制器（PLC）扩展内存模块，或FPGA协处理器的外挂高速缓存； - 测试与测量仪器：在高速示波器、逻辑分析仪中用作深度采样数据缓冲，保障连续高速数据捕获能力； - 军事/航天领域（需筛选版本）：在抗辐射加固设计中作为关键实时控制系统的本地工作内存（注：该型号标准商用级，军用需选用对应温度/可靠性等级变体）。 其双端口（或可配置为单端口）、独立字节使能（UB/LB）及低功耗特性，特别适合需要确定性时序与高可靠数据暂存的嵌入式实时系统。需注意：IDT已于2019年被瑞萨电子（Renesas）收购，该器件现属Renesas产品线，技术支持与供货由Renesas延续。
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