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- 型号： 71V416L12YG8
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V416L12YG8由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V416L12YG8价格参考。Integrated Device Technology71V416L12YG8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V416L12YG8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V416L12YG8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V416L12YG8 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）推出的一款高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为256K×4位（即1Mb），访问时间为12ns，采用44引脚SOJ封装，支持3.3V单电源供电。 其典型应用场景包括： - 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制器等，需快速、可靠的数据暂存与实时缓存； - 网络通信设备：在交换机、路由器的包缓冲、FIFO队列或地址表缓存中，利用其低延迟和高可靠性提升吞吐效率； - 测试测量仪器：如数字示波器、逻辑分析仪，用于高速采样数据的临时存储与实时处理； - 嵌入式系统与DSP协处理器接口：作为主处理器或DSP的片外高速缓存/工作RAM，弥补片内RAM容量不足； - 军事与航空航天领域（宽温版本适用）：该器件提供工业级（–40°C至+85°C）工作温度范围，部分批次具备抗干扰与高稳定性，适用于严苛环境下的关键数据缓存。 需注意：71V416L12YG8为异步SRAM，无内置刷新电路，无需时钟，但需外部地址/控制信号配合；其“L”后缀表示低功耗，“Y”表示SOJ封装，“G8”代表无铅（Pb-free）与符合RoHS标准。当前该型号已进入产品生命周期后期（NRND或停产状态），多用于维护现有设备或替代设计，新项目建议评估瑞萨更新的低功耗/更高密度SRAM方案。
产品参数
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