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  • 型号: 71V416L10BE
  • 制造商: Integrated Device Technology
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V416L10BE由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V416L10BE价格参考。Integrated Device Technology71V416L10BE封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V416L10BE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V416L10BE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IDT(Integrated Device Technology Inc.)的71V416L10BE是一款高速、低功耗的32K × 8位(256Kb)异步静态RAM(SRAM),采用CMOS工艺,封装为44-pin plastic leaded chip carrier(PLCC),工作电压为3.3V,存取时间典型值为10ns(L10后缀即表示10ns速度等级)。

该器件主要应用于对读写速度、可靠性和低功耗有较高要求的嵌入式系统中,典型应用场景包括:  
- 工业控制设备:如PLC(可编程逻辑控制器)、运动控制器中的高速缓存或数据暂存区;  
- 通信设备:在路由器、交换机、基站基带处理模块中用作FIFO缓冲、帧缓存或协议处理中间存储;  
- 测试与测量仪器:示波器、逻辑分析仪等需实时采集并暂存高速数据的场景;  
- 军事/航空电子系统:因具备宽温范围(-40°C ~ +85°C)和高抗干扰性,适用于加固型嵌入式平台;  
- 老一代数字信号处理系统(DSP)或微控制器扩展内存:作为外部高速数据RAM,弥补主控片内RAM容量不足。

需注意:该型号已停产(EOL),属IDT经典SRAM系列,当前多用于维护或替代升级项目,设计新系统时建议评估IDT后续兼容型号(如Renesas收购IDT后推出的IS61WV系列)或替代方案。
产品参数 图文手册 常见问题
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