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  • 型号: 71V3559S80BQI
  • 制造商: Integrated Device Technology
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供71V3559S80BQI由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V3559S80BQI价格参考。Integrated Device Technology71V3559S80BQI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V3559S80BQI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V3559S80BQI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

71V3559S80BQI 是 IDT(Integrated Device Technology,现属瑞萨电子)出品的一款高速异步静态RAM(SRAM),非“品牌为-”——该处应为信息缺失或误填,实际品牌为IDT/RENESAS。其关键参数包括:2MB容量(256K × 8位)、80ns访问时间、3.3V单电源供电、工业级温度范围(–40°C 至 +85°C),采用119-pin BGA(BQI后缀表示无铅、符合RoHS的工业级封装)。

主要应用场景包括:  
1. 通信设备:用作网络处理器(NPU)、交换芯片或FPGA的高速缓存或数据缓冲,支撑路由器、基站基带单元中的实时包处理;  
2. 工业控制与自动化:在PLC、运动控制器中作为低延迟数据暂存区,满足确定性响应需求;  
3. 测试测量仪器:如高速逻辑分析仪、示波器,用于捕获和暂存高采样率原始数据;  
4. 军事/航空嵌入式系统:凭借工业级温宽与高可靠性,适用于机载数据记录、雷达信号预处理等对稳定性要求严苛的场景。  

需注意:该器件为并行异步SRAM,不适用于需DDR接口或大容量存储的场合(如主内存或Flash替代);其80ns访问速度适合中等实时性要求,但已被更高速的QDR SRAM或片上存储部分取代,多见于成熟可靠性的存量设计中。
产品参数 图文手册 常见问题
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