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- 型号： 71V25761Y5S200PFG
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V25761Y5S200PFG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V25761Y5S200PFG价格参考。Integrated Device Technology71V25761Y5S200PFG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V25761Y5S200PFG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V25761Y5S200PFG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V25761Y5S200PFG 是 IDT（Integrated Device Technology，现属瑞萨电子）出品的一款高速异步静态RAM（SRAM），容量为4Mb（512K × 8位），采用3.3V供电，封装为100引脚TQFP（PFG），访问时间仅200ps（即20ns），支持工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）。 其典型应用场景包括： - 网络通信设备：如路由器、交换机中的数据包缓存、FIFO缓冲、查找表（LUT）或控制平面暂存； - 工业自动化与嵌入式系统：用于PLC、运动控制器等对实时性要求高、需零等待周期读写的场景； - 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪中高速采集数据的临时存储； - 航空航天与军工设备：凭借工业级温宽和高可靠性，适用于抗干扰、低延迟的关键子系统； - FPGA/CPU协处理器接口：作为高性能外扩缓存，弥补主处理器片上存储不足，提升数据吞吐效率。 该器件不适用于大容量、低成本存储（如SSD/DDR），也不支持掉电保存，故不用于持久化存储。其核心价值在于纳秒级随机访问、无刷新需求及确定性时序，是实时嵌入式系统中关键的高速暂存单元。
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