Datasheet下载- 型号： 71V25761S200BG
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V25761S200BG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V25761S200BG价格参考。Integrated Device Technology71V25761S200BG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V25761S200BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V25761S200BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）的71V25761S200BG是一款高性能同步静态RAM（SSRAM），容量为4Mb（256K × 16位），工作频率达200MHz（周期时间5ns），采用BGA封装（119-ball fine-pitch ball grid array）。其主要应用场景包括： - 网络通信设备：广泛用于高端路由器、交换机及网络处理器（NPU）中，作为高速缓存或数据包缓冲存储器，满足线速转发对低延迟、高带宽的要求； - 电信基础设施：应用于基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中的FIFO缓冲、信元/帧暂存及协议处理中间存储； - 工业与嵌入式系统：在实时性要求严苛的工控PLC、医疗成像设备（如CT/MRI图像数据缓存）及雷达信号处理系统中，提供确定性访问时序和零等待状态操作； - 测试与测量仪器：用于高速逻辑分析仪、示波器等设备的数据采集缓冲，支持深度存储与实时流式读写。 该器件支持3.3V供电、全静态异步控制接口（含ZZ休眠模式），具备高可靠性与工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），适用于对稳定性、速度和功耗均有较高要求的嵌入式内存应用。需注意：IDT已于2019年被瑞萨电子（Renesas）收购，该型号现属Renesas产品线，技术支持与供货由Renesas承接。
产品参数
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