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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 71V256SA10YG
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V256SA10YG由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V256SA10YG价格参考。Integrated Device Technology71V256SA10YG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V256SA10YG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V256SA10YG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IDT（Integrated Device Technology Inc.）的71V256SA10YG是一款32K × 8位（256Kb）高速CMOS静态RAM（SRAM），采用3.3V供电，10ns访问时间，SOJ-28封装。其典型应用场景包括： - 嵌入式系统缓存与缓冲：用于工业控制、通信设备（如路由器、交换机）中作为CPU或FPGA的高速数据缓存或暂存区，提升实时响应能力； - 网络设备数据包缓冲：在以太网PHY、MAC层或协议处理模块中暂存收发帧，满足低延迟、高吞吐需求； - 测试与测量仪器：如逻辑分析仪、示波器等需快速读写临时采样数据的场合； - 军事/航空电子系统：凭借宽温范围（–40°C 至 +85°C）、高可靠性及无刷新特性，适用于对稳定性要求严苛的加固型设备； - 老式或专用工控主板：作为ISA/PCI总线扩展卡上的本地RAM，配合CPLD/FPGA实现地址译码与接口桥接。 该器件不带片选/输出使能自动省电功能，但支持三态输出和低功耗待机模式（<50μA），适合对时序敏感、需确定性访问延迟的场景。需注意其已停产（End-of-Life），当前多用于产线维护、备件替换或兼容性设计中，新项目建议评估IDT后续替代型号（如71V256SA系列升级版）或Renesas（收购IDT后）推荐方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | IDT |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 静态随机存取存储器 32Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
| 产品分类 | 集成电路 - IC |
| 产品手册 | http://www.idt.com/document/dst/71v256sa-datasheet |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,IDT 71V256SA10YG |
| 产品型号 | 71V256SA10YG |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 商标 | IDT |
| 存储容量 | 256 kbit |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/箱体 | SOJ-28 |
| 工厂包装数量 | 27 |
| 接口 | Parallel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最大工作电流 | 100 mA |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | 71V256SA |
| 组织 | 32 k x 8 |
| 访问时间 | 10 ns |
| 零件号别名 | 71V256SA IDT71V256SA10YG |
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