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- 型号： 71V124SA12Y
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供71V124SA12Y由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V124SA12Y价格参考。Integrated Device Technology71V124SA12Y封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载71V124SA12Y参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V124SA12Y 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V124SA12Y 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）出品的一款高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为128K × 8位（即1Mb），访问时间为12ns，采用3.3V单电源供电，封装为SOJ-32。其典型应用场景包括： - 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、运动控制器等，需快速、可靠的数据缓存与临时存储，该器件具备工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）和高抗干扰能力，适合严苛环境。 - 通信基础设施：用于网络交换机、路由器、基站中的帧缓冲、FIFO暂存或协议处理单元的本地工作内存，12ns超快读写满足高速数据包处理需求。 - 嵌入式系统与实时处理器协处理器：常作为DSP、MCU（如瑞萨RX系列）或FPGA的外部高速缓存或数据缓冲区，弥补片内RAM容量不足，提升实时响应性能。 - 测试测量仪器：如数字示波器、逻辑分析仪中用于高速采样数据的暂存，依赖其低延迟与零等待周期特性保障实时性。 - 医疗电子设备：如影像处理模块或便携式监护仪，在需要确定性时序与高可靠性的关键路径中提供稳定RAM支持。 该器件不支持电池备份，非易失性应用需外加电路；亦不适用于大容量主存场景（如DDR替代）。其核心价值在于高速、低功耗、高可靠性及成熟稳定的工业级设计。
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