| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供71V124SA10YG由Integrated Device Technology设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V124SA10YG价格参考。Integrated Device Technology71V124SA10YG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载71V124SA10YG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有71V124SA10YG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
71V124SA10YG 是瑞萨电子(Renesas Electronics America Inc.)出品的一款高速异步CMOS静态RAM(SRAM),容量为128K × 8位(即128KB),访问时间10ns,采用32引脚SOIC封装,工作电压为3.3V。 其主要应用场景包括: - 工业控制设备:用于PLC、人机界面(HMI)、运动控制器等需快速读写、高可靠性的实时数据缓存; - 通信设备:在交换机、路由器、基站基带处理单元中作为帧缓冲、FIFO或临时数据暂存; - 测试与测量仪器:如示波器、逻辑分析仪,利用其低延迟特性实现高速采样数据的实时暂存; - 嵌入式系统:配合DSP或MCU(如瑞萨RX系列)作为外部扩展RAM,提升运算中间数据处理能力; - 医疗电子设备:如影像采集模块、实时监护仪中的短期波形/图像缓存。 该器件具备低功耗(待机电流典型值仅1μA)、工业级温度范围(–40°C 至 +85°C)及无铅合规等特点,适用于对稳定性、响应速度和环境适应性要求较高的嵌入式场景。不适用于大容量存储或非易失需求场合(因其为易失性SRAM,断电数据丢失)。
| 参数 | 数值 |
| 品牌 | IDT |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 静态随机存取存储器 128Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM |
| 产品分类 | 集成电路 - IC |
| 产品手册 | http://www.idt.com/document/dst/71v124sa-datasheet |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,IDT 71V124SA10YG |
| 产品型号 | 71V124SA10YG |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 商标 | IDT |
| 存储容量 | 1 Mbit |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | SOJ-32 |
| 工厂包装数量 | 23 |
| 接口 | Parallel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最大工作电流 | 145 mA |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3.15 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | 71V124 |
| 组织 | 128 k x 8 |
| 访问时间 | 10 ns |
| 零件号别名 | 71V124 IDT71V124SA10YG |