【未分类_71V016SA12YI】封装/厂家_71V016SA12YI中文资料_价格

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型号： 71V016SA12YI
制造商： Integrated Device Technology
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供71V016SA12YI由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 71V016SA12YI价格参考。Integrated Device Technology71V016SA12YI封装/规格：未分类，暂无。您可以下载71V016SA12YI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有71V016SA12YI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IDT（Integrated Device Technology Inc.）的71V016SA12YI是一款高速、低功耗的3.3V CMOS静态RAM（SRAM），容量为1Mb（128K × 8位），访问时间为12ns，采用工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）和SOIC-32封装（后缀“YI”表示该版本为工业级）。

其典型应用场景包括：  
- 工业控制设备：如PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和运动控制器中，用作高速缓存或临时数据缓冲，满足实时性与宽温可靠性要求；  
- 通信设备：在路由器、交换机、基站基带板等中，作为FIFO、帧缓存或协议处理中间存储，支持突发数据吞吐；  
- 嵌入式系统：用于DSP/FPGA协处理器的本地数据存储，配合IDT经典时序兼容性，简化接口设计；  
- 测试测量仪器：如数字示波器、逻辑分析仪中，承担高速采样数据的暂存，利用其零等待、异步读写特性保障无丢点采集；  
- 医疗电子设备：如便携式监护仪、影像前端模块，在需长期稳定运行且无刷新需求的场景中替代DRAM，提升系统可靠性。

该器件不带内置电池或非易失性，断电即失数据，因此适用于需高速随机访问、低延迟、高可靠性的易失性缓存场景，而非持久化存储。其工业级温度与抗干扰设计，使其特别适合严苛环境下的关键嵌入式应用。

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