Datasheet下载- 型号： 6116LA25SOGI8
- 制造商： Integrated Device Technology
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供6116LA25SOGI8由Integrated Device Technology设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 6116LA25SOGI8价格参考。Integrated Device Technology6116LA25SOGI8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载6116LA25SOGI8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有6116LA25SOGI8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
6116LA25SOGI8 是瑞萨电子（Renesas Electronics America Inc.）旗下的一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为2K × 8位（共16Kb），访问时间25ns，工作电压+5V，采用24引脚SOIC封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），带“G”后缀表示无铅（Pb-free）与符合RoHS标准。 该器件典型应用于对可靠性、低功耗和中等速度有要求的嵌入式系统中，常见场景包括：工业控制设备（如PLC模块、传感器节点、HMI人机界面）中的临时数据缓存与寄存器映射；通信设备（如调制解调器、协议转换器、小型交换机）的帧缓冲或配置表存储；医疗电子设备（如便携式监护仪、诊断终端）中需快速读写的中间数据暂存；以及老一代或成本敏感型微控制器（如8051、Z80、HC11等）系统的外部扩展RAM，用于补充片上RAM不足。其25ns访问速度适配中低频总线系统（如≤40MHz MCU），而工业级温宽与高抗干扰性使其适用于严苛现场环境。需注意：该型号属成熟量产但非最新产品，多见于生命周期稳定的工业平台或替代升级项目中，不适用于大容量、低功耗（如电池供电）或高速DDR类应用。
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