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- 型号： 5LP01SS-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5LP01SS-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5LP01SS-TL-E价格参考。ON Semiconductor5LP01SS-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载5LP01SS-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5LP01SS-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor 的 5LP01SS-TL-E 是一款 P 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用小型 SOT-23 封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值约 0.12 Ω @ Vgs = –4.5 V）、低栅极电荷及快速开关特性。其额定电压为 –20 V，连续漏极电流达 –1.2 A（Ta=25°C），适用于低压、小功率、空间受限的便携式电子系统。 典型应用场景包括： ✅ 电池供电设备的电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速响应； ✅ LED 驱动与背光控制：在小型显示屏或指示灯电路中作为恒流/开关驱动管，利用其逻辑电平兼容性（–1.2 V 至 –4.5 V 即可充分导通），便于直接由 MCU GPIO 驱动； ✅ DC-DC 转换器次级侧同步整流：在升压/降压拓扑中（如单节锂电池供电的 3.3 V/5 V 输出）替代肖特基二极管，提升转换效率； ✅ H 桥或半桥驱动中的高边/低边开关：配合 N 沟道器件构成微型电机驱动（如振动马达、微型风扇）； ✅ ESD 敏感接口保护与热插拔控制：凭借小封装和快速关断能力，用于 USB、I²C 等信号线的过流/反向电压防护。 该器件强调高可靠性、AEC-Q101 可选（具体以批次为准），适合消费电子及工业控制中对尺寸、效率与成本敏感的应用。使用时需注意 PCB 散热设计及栅极驱动稳定性（建议加 10–100 Ω 栅极电阻抑制振荡）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 5LP01SS-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7.4pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 欧姆 @ 40mA，4V |
| 供应商器件封装 | 3-SSFP |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 70mA （Ta） |
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