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- 型号： 5KP33CE3/TR13
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供5KP33CE3/TR13由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 5KP33CE3/TR13价格参考。American Microsemiconductor, Inc.5KP33CE3/TR13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载5KP33CE3/TR13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有5KP33CE3/TR13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
5KP33CE3/TR13 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 5kW 瞬态电压抑制（TVS）二极管，属于单向TVS器件，击穿电压典型值为36.7V，钳位电压约53.3V（在峰值脉冲电流5kA下），适用于高能量浪涌防护。 其主要应用场景包括： - 工业电源与控制系统：用于PLC、变频器、电机驱动器等设备的直流母线或控制信号端口，抵御雷击感应浪涌及开关噪声； - 通信基础设施：在基站电源输入、PoE供电接口或RS-485/RS-232通信线路前端提供IEC 61000-4-5 Level 4（4kV/2Ω耦合）等级的浪涌保护； - 交通运输电子：车载电源系统（如12V/24V总线）、轨道信号设备中，防护负载突降（Load Dump）及反向电池连接等严苛瞬态； - 可再生能源系统：光伏逆变器直流侧输入端，抑制雷电或电网切换引起的高压尖峰； - 医疗与测试设备：对敏感模拟/数字接口实施二级过压保护，配合前端气体放电管（GDT）构成多级防护方案。 该器件采用DO-214AB（SMC）封装，支持自动贴片（TR13卷带包装），具备低箝位比和高可靠性，符合AEC-Q101（部分批次）及UL 497B认证，适用于高可靠性、宽温（–65℃~+175℃）要求的工业与车载环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 33VWM 59VC P600 |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11087-sd6a-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 5KP33CE3/TR13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | P600 |
| 功率-峰值脉冲 | 5000W （5kW） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | P600，轴向 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-击穿（最小值） | 36.7V |
| 电压-反向关态（典型值） | 33V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 59V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 84.7A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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