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Datasheet下载- 型号： 4N35(SHORT,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供4N35(SHORT,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 4N35(SHORT,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.4N35(SHORT,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载4N35(SHORT,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有4N35(SHORT,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
4N35(SHORT,F) 是 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款光隔离器（光电耦合器），其分类为光隔离器 - 晶体管，光电输出类型。该型号在电气隔离、信号传输和噪声抑制方面具有广泛的应用场景，以下是其主要应用场景的详细介绍： 1. 工业自动化控制 4N35(SHORT,F) 常用于工业自动化设备中，例如可编程逻辑控制器 (PLC) 和传感器接口。它能够实现输入和输出电路之间的电气隔离，防止高电压或干扰信号对敏感控制电路造成损害，同时确保信号的可靠传递。 2. 电源管理与驱动电路 在开关电源、电机驱动和功率放大器等应用中，4N35(SHORT,F) 可用于隔离驱动信号，避免高压侧对低压控制电路的影响。例如，在 MOSFET 或 IGBT 的栅极驱动电路中，它可以提供安全的信号隔离。 3. 通信接口隔离 该型号适用于 RS-232、RS-485 等串行通信接口的隔离设计。通过将发送和接收信号进行光电隔离，可以有效减少地环路噪声和电磁干扰，提高通信系统的稳定性和抗干扰能力。 4. 医疗设备 在医疗电子领域，如心电图仪、血压监测仪等设备中，4N35(SHORT,F) 能够实现患者与设备之间的电气隔离，确保患者安全，同时保证信号的准确传输。 5. 家用电器与消费电子 在家用电器（如洗衣机、空调）和消费电子产品中，该器件可用于隔离用户输入信号和主控电路，保护用户免受高电压威胁，并提高系统的可靠性。 6. 音频设备 在音频处理设备中，4N35(SHORT,F) 可用于隔离音频信号路径中的接地回路，减少噪声干扰，从而提升音质表现。 7. 汽车电子 在汽车电子系统中，如车载音响、发动机控制单元 (ECU) 和传感器信号处理中，该器件能够实现信号隔离，防止电磁干扰和电压波动对系统的影响。 总结来说，4N35(SHORT,F) 凭借其可靠的光电隔离性能和低成本优势，广泛应用于需要电气隔离和信号传输的场景，尤其适合低速数字信号和模拟信号的隔离需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP晶体管输出光电耦合器 TR HIGH CTR (SHORT) |
| 产品分类 | 光隔离器 - 晶体管，光电输出集成电路 - IC |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Toshiba 4N35(SHORT,F)- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 4N35(SHORT,F)4N35(SHORT,F) |
| Vce饱和值（最大值） | 300mV |
| 上升/下降时间（典型值） | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 晶体管输出光电耦合器 |
| 供应商器件封装 | 6-DIP |
| 其它名称 | 4N35SHORTF |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 6-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | PDIP-6 |
| 工作温度 | -55°C ~ 100°C |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 打开/关闭时间（典型值） | 3µs， 3µs |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大反向二极管电压 | 6 V |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 最大正向二极管电压 | 1.5 V |
| 最大输入二极管电流 | 60 mA |
| 最大集电极/发射极电压 | 30 V |
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.3 V |
| 最大集电极电流 | 100 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向电流 | 10 mA |
| 每芯片的通道数量 | 1 Channel |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.15V |
| 电压-输出（最大值） | 30V |
| 电压-隔离 | 2500Vrms |
| 电流-DC正向(If) | 60mA |
| 电流-输出/通道 | 100mA |
| 电流传输比（最大值） | - |
| 电流传输比（最小值） | 40% @ 10mA |
| 电流传递比 | 100 % |
| 绝缘电压 | 2500 Vrms |
| 输入类型 | DC |
| 输出类型 | 有基极的晶体管DC |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 通道数 | 1 |
| 配置 | 1 Channel |
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