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- 型号： 3KASMC11AHE3_A/I
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3KASMC11AHE3_A/I由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3KASMC11AHE3_A/I价格参考。Vishay3KASMC11AHE3_A/I封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3KASMC11AHE3_A/I参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3KASMC11AHE3_A/I 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3KASMC11AHE3_A/I 是 Vishay（威世）生产的 TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于 SMA 封装的单向TVS器件，击穿电压典型值为11.1V，最大钳位电压约18.2V（在峰值脉冲电流146A下），峰值脉冲功率达3000W（3kW），符合AEC-Q200汽车级可靠性标准。 其主要应用场景包括： - 汽车电子系统：用于车载信息娱乐系统（IVI）、仪表盘、ADAS摄像头模块、车身控制单元（BCM）等，防护ISO 7637-2/3及ISO 16750-2标准规定的抛负载（Load Dump）、感性负载开关引起的高压浪涌（如继电器、电机断开时产生的反向电动势）。 - 工业电源与接口保护：适用于12V供电的CAN总线收发器、LIN总线、RS-485接口前端，防止静电放电（ESD）、雷击感应浪涌或电源耦合干扰。 - 高可靠性嵌入式设备：如车载导航、行车记录仪、T-Box等需承受严苛电磁环境的终端，提供快速响应（<1ns）的过压保护，确保后端MCU、传感器或通信芯片免受瞬态损伤。 该器件具备低漏电流、高浪涌耐受能力及AEC-Q200认证，特别适合对可靠性和温度稳定性要求严苛的12V汽车及工业应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 3KASMC11AHE3_A/I |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PAR® |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | DO-214AB （SMCJ） |
| 功率-峰值脉冲 | 3000W （3kW） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC |
| 工作温度 | -65°C ~ 185°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 3,500 |
| 电压-击穿（最小值） | 12.2V |
| 电压-反向关态（典型值） | 11V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 18.2V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 165A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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