Datasheet下载- 型号： 3EZ91D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ91D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ91D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ91D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ91D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ91D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ91D2/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为 91 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），采用 TR12 卷带包装，适用于自动化贴片生产。 其典型应用场景包括： 1. 过压保护电路：在电源输入端或敏感模拟/数字电路前，作为钳位器件，吸收瞬态浪涌（如雷击、开关噪声），防止后级器件损坏； 2. 基准电压源：在中等精度要求的稳压电源、传感器调理电路或ADC参考电路中，提供稳定的91 V基准（需配合限流电阻及滤波）； 3. 浪涌抑制器（TVS替代方案）：虽非专用TVS，但在低频、低重复率过压场合（如工业控制接口、继电器线圈续流保护）可作经济型箝位元件； 4. 高压偏置电路：为光电倍增管（PMT）、CCD偏置、高压运放等提供稳定偏置电压； 5. 反馈环路稳压：在离线式开关电源（如反激变换器）的初级侧反馈网络中，辅助稳压或实现过压锁定（OVP）功能。 注意事项：该器件为玻璃钝化结型齐纳，具有较好温度稳定性与长期可靠性，但需严格限制工作电流（建议≤25 mA以保障寿命与精度），并注意散热设计。不适用于高频或大能量脉冲场景，亦不可替代低压精密基准（如TL431）。 （字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 91V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ91D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 69.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 91V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 115 欧姆 |
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