Datasheet下载- 型号： 3EZ9.1D2E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ9.1D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ9.1D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ9.1D2E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ9.1D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ9.1D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ9.1D2E3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为9.1 V，功率为3 W（DO-41封装），具有±5%电压容差、低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： 1. 电源稳压与基准电压源：用于低压线性稳压电路中提供精确、稳定的9.1 V参考电压，适用于仪表放大器、ADC/DAC基准、传感器供电等对电压精度要求较高的场合。 2. 过压保护（OVP）与箝位电路：并联于敏感电路（如MCU I/O口、通信接口）前端，当瞬态电压超过9.1 V时导通泄流，配合限流电阻实现ESD或浪涌防护。 3. 电压检测与阈值设定：在电源监控电路中作为电压比较的参考点，用于实现欠压/过压告警或系统复位控制（如配合三极管或比较器使用）。 4. 模拟电路偏置与补偿：在运算放大器、稳压电源反馈网络中提供稳定偏置点，改善温漂和线性度。 该器件具备AEC-Q200兼容选项（部分批次），亦可用于工业控制、汽车电子（如车身控制模块中的非安全关键子系统）、通信设备及消费类电源适配器中。TR8表示卷带包装，适合自动化贴片生产。需注意：实际应用中应合理设计功耗（避免长期满载）、匹配散热条件，并考虑齐纳噪声特性对高灵敏模拟电路的影响。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 9.1V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ9.1D2E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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