Datasheet下载- 型号： 3EZ9.1D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ9.1D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ9.1D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ9.1D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ9.1D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ9.1D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ9.1D2/TR8是一款9.1V、500mW通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定9.1V基准电压； 2. 过压保护：与限流电阻配合，用作电源输入端或敏感IC引脚的钳位器件，吸收瞬态浪涌（如ESD或感应电压），防止后级电路损坏； 3. 电平转换与箝位：在数字接口中将信号幅度限制在安全范围（如将12V逻辑信号箝位至9.1V以下），兼容不同电压域器件； 4. 简易稳压电源：适用于小电流负载（≤50mA）的非隔离式辅助电源，如微控制器复位电路、LED恒流偏置或实时时钟（RTC）供电； 5. 工业与通信设备：常见于PLC模块、RS-485收发器保护、电源监控电路及老式通信设备中，因其高可靠性与宽温工作范围（-65℃~+175℃）而适用于严苛环境。 该器件不适用于大电流或高精度场景（如精密仪器基准），需注意散热与功率裕量设计。TR8表示卷带包装，适合自动化贴装。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 9.1V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ9.1D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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