Datasheet下载- 型号： 3EZ9.1D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ9.1D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ9.1D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ9.1D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ9.1D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ9.1D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ9.1D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为9.1 V，额定功率为3 W，采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路、传感器供电或ADC参考源中，提供稳定、低噪声的9.1 V基准电压； 2. 过压保护/钳位：配合TVS或限流电阻，用于保护后级IC（如MCU、运放）免受瞬态过压（如ESD、感应浪涌）损害； 3. 电源稳压辅助：在简单线性稳压器（如78xx系列）的反馈或预稳压环节中，提升输出精度与温度稳定性； 4. 工业控制与通信模块：适用于PLC输入接口、RS-485收发器电源钳位、隔离电源次级侧稳压等对可靠性要求较高的场景； 5. 消费电子与汽车电子（AEC-Q200兼容型号需确认）：部分衍生版本可用于车载充电器、LED驱动恒压环路或电池电压监测中的基准分压。 该器件具备良好的温度系数（典型±0.06%/°C）、低动态阻抗（≈10 Ω）及高浪涌承受能力（符合IEC 61000-4-5），适合中等精度、中低频稳压需求。注意：实际应用中需确保功耗不超过3 W，并预留足够散热余量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 9.1V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ9.1D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 9.1V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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