Datasheet下载- 型号： 3EZ82D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ82D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ82D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ82D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ82D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ82D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ82D2/TR8是一款82V、1W表面贴装齐纳二极管（DO-41封装，TR8表示编带卷盘包装）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为ADC参考、传感器偏置或运算放大器提供稳定82V基准电压；适用于输入电压波动较大但需精确钳位的场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感IC接口前端，当瞬态电压超过82V时导通分流，配合限流电阻保护后级器件（如MCU、通信芯片等），典型用于工业控制板、电机驱动板的浪涌防护。 3. 电平箝位与信号整形：在模拟信号链中限制信号摆幅（如高压传感器输出调理），防止运放饱和或ADC超量程；也用于PWM驱动电路中钳位栅极电压，提升MOSFET/IGBT驱动可靠性。 4. 替代传统稳压方案：在成本与空间受限的简单电源中，可替代低压差稳压器（LDO）实现固定电压输出（如为高压偏置电路供电），但需注意其动态响应和温漂特性（典型温度系数约0.07%/°C）。 注：该器件最大齐纳电流约12mA（P=1W/82V），设计时须确保功耗不超标，并考虑散热条件；不适用于大电流稳压或高频噪声抑制场景。实际应用中建议查阅Microchip官方数据手册确认电气参数及可靠性指标。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 82V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ82D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 62.2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 82V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 95 欧姆 |
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