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产品简介:
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Microsemi Corporation(现已被Microchip收购)的3EZ8.2D5/TR8是一款8.2V、3W通孔式齐纳二极管,采用DO-41封装,具有±5%电压容差(即标称稳压值8.2V,实际范围约7.8V–8.6V)和低动态阻抗特性。 其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗线性稳压电路中为运算放大器、ADC/DAC或传感器提供稳定参考电压; 2. 过压保护(OVP):与可控硅(SCR)或晶闸管配合构成过压保护电路,在电源输入端检测并钳位异常高压,防止后级器件损坏; 3. 浪涌抑制与箝位:用于通信接口(如RS-232、RS-485)或工业I/O端口,吸收瞬态电压尖峰(如ESD、EFT),保护敏感芯片; 4. 电源反馈环路:在离线式开关电源(如反激拓扑)的次级侧,作为TL431的替代或辅助基准元件,提升稳压精度与可靠性; 5. 温度补偿电路:利用其负温度系数特性,与其他正温度系数元件(如硅二极管)组合,实现宽温域下的稳定偏置。 该器件具备良好的长期稳定性、低噪声及较高浪涌承受能力(如符合IEC 61000-4-5标准的短时脉冲耐受),适用于工业控制、医疗设备、通信电源及汽车电子(非安全关键系统)等对可靠性要求较高的场景。注意:TR8表示编带包装,适用于自动贴装(需搭配合适波峰焊工艺),但DO-41为轴向引脚,更常见于通孔插件应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 8.2V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ8.2D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 6V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 8.2V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 2.3 欧姆 |