Datasheet下载- 型号： 3EZ7.5D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ7.5D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ7.5D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ7.5D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ7.5D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ7.5D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ7.5D2/TR12是一款7.5V、500mW通孔式齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路）中提供稳定7.5V基准电压；适用于输入波动较小、负载电流较轻（≤50mA）的场合。 2. 过压保护与钳位：与TVS或串联限流电阻配合，用于IC输入端（如微控制器I/O口、运放输入）的瞬态电压钳位，防止7.5V以上电压损坏后级器件。 3. 电源分压/偏置电路：在分立放大器、振荡器或LED驱动电路中，为晶体管基极或运算放大器提供精确偏置电压。 4. 低成本嵌入式系统与工业控制板：因其高可靠性、宽工作温度范围（-65°C至+175°C）及符合AEC-Q200（部分批次）要求，常用于汽车电子辅助模块、PLC接口电路及工控电源反馈环路。 注：该器件为通用型齐纳管，不适用于高精度（如±1%初始容差）或低噪声基准需求场景；设计时需注意功耗限制（最大500mW）及温度系数影响。实际应用中建议查阅Microchip官方最新数据手册确认参数与替代信息。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 7.5V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ7.5D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 5V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 7.5V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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