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产品简介:
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Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ68D5/TR8是一款6.8V、3W通孔式齐纳二极管(单管),采用DO-41封装,带卷带包装(TR8表示卷带盘装)。其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗电源中为模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源)提供稳定6.8V基准电压;适用于线性稳压器的误差放大器偏置或反馈网络。 2. 过压保护(OVP):与限流电阻配合,用作简单钳位电路,防止后级IC(如MCU I/O口、运放输入端)遭受瞬态过压(如ESD、感应浪涌)损坏。 3. 电平转换与箝位:在数字接口中限制信号摆幅(如将5V逻辑信号安全箝位至6.8V以下),或为振荡电路(如张弛振荡器)设定阈值电压。 4. 工业与通信设备:广泛用于工业控制模块、电信电源监控电路、仪表电源管理等对成本敏感且需基础稳压/保护功能的场景。 该器件具有±5%电压容差、低动态阻抗(典型值≤10Ω)、良好温度稳定性(TC ≈ +2.5 mV/°C),适合中等精度、非高可靠性军用/航天场景(Microsemi原产品线更侧重高可靠领域,但此型号属通用系列)。注意:设计时需确保功耗不超过3W(需合理计算散热),并避免长期工作在最大额定值边缘。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 68V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ68D5/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 51.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 68V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 70 欧姆 |