Datasheet下载- 型号： 3EZ68D2/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ68D2/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ68D2/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ68D2/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ68D2/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ68D2/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ68D2/TR12是一款额定功率3W、标称齐纳电压68V（容差±2%）、采用DO-41封装的单齐纳二极管。其主要应用场景包括： 1. 过压保护与稳压：常用于电源输入端或敏感电路前级，作为瞬态电压抑制（TVS）辅助器件或精密稳压参考，为后级LDO或负载提供稳定基准电压（如配合分压/误差放大电路）。 2. 工业控制与电源系统：适用于开关电源（SMPS）的反馈环路基准、DC-DC转换器的电压钳位、电机驱动板的母线电压监测与限幅等场景，利用其3W高功率能力应对短时浪涌。 3. 通信与仪器仪表：在基站电源、测试设备中用作电压箝位元件，防止ESD或感应电压损坏ADC输入、运放接口等模拟前端电路。 4. 汽车电子（非AEC-Q认证版本需谨慎）：可用于车载充电器、LED驱动等对成本和可靠性有要求但非安全关键的应用（注：该型号非AEC-Q101认证，车规应用需确认具体合规性）。 5. 替代与兼容设计：作为通用高电压齐纳器件，常用于替换同类3W/68V器件（如1N5379B），适用于批量生产中的BOM优化。 注意：TR12表示卷带包装（12英寸卷盘），适合自动化贴片生产；实际应用中需确保功耗不超过额定值，并考虑温度降额（高温环境下需降低工作电流）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 68V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ68D2/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 51.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 68V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 70 欧姆 |
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