Datasheet下载- 型号： 3EZ62DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ62DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ62DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ62DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ62DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ62DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ62DE3/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）生产的一款齐纳稳压二极管，标称稳压值为 62 V，额定功率为 3 W（DO-41 封装），采用卷带包装（TR8 表示 8 mm 编带）。其主要应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：在电源输入端或敏感模拟/数字接口处，用作瞬态电压抑制（TVS）辅助器件，配合 TVS 或 MOV 抑制浪涌，将电压钳位在 62 V 左右，防止后级电路过压损坏。 2. 基准电压源：在中低精度、非临界温度环境的稳压电源中，为误差放大器、比较器或 ADC 参考提供稳定偏置电压（需配合限流电阻及滤波电容使用）。 3. 串联稳压辅助元件：在分立式线性稳压器中，作为调整管基极偏置或反馈网络中的参考节点，提升输出电压稳定性。 4. 工业控制与仪表电源：适用于 48 V–60 V 系统（如 PoE++、工业 PLC 模块、传感器供电）中的简单稳压或电压检测阈值设定。 5. 替代/兼容设计：因 Microsemi 品牌强调高可靠性与宽温特性（-65°C 至 +175°C），常用于航空航天、军工或严苛工业环境中，作为成熟可靠的 62 V 齐纳方案。 注意：该器件无内置温度补偿，长期精度和温漂（典型 TC ≈ ±0.08%/°C）不如带隙基准，不适用于高精度或宽温精密应用；实际使用需严格计算功耗与散热，避免超 3 W 额定功率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 62V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ62DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 47.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 62V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 55 欧姆 |
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