Datasheet下载- 型号： 3EZ62D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ62D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ62D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ62D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ62D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ62D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ62D/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为62 V，额定功率为3 W（DO-41封装），采用TR12卷带包装，适用于自动化贴片生产。 其主要应用场景包括： 1. 过压保护与钳位电路：在电源输入端或敏感IC接口处，用于吸收瞬态浪涌电压（如ESD、雷击感应脉冲），将电压钳位于62 V附近，防止后级器件损坏； 2. 基准电压源：在中等精度要求的模拟电路（如传感器信号调理、简易ADC参考）中，提供稳定的62 V基准（需配合限流电阻及温度补偿设计）； 3. 稳压电源辅助电路：作为线性稳压器或开关电源的反馈/检测分压网络中的高值稳压元件，或用于高压偏置电路（如光电耦合器驱动、MOSFET栅极保护）； 4. 工业控制与通信设备：适用于48 V/60 V工业总线系统（如PoE++、PLC模块）、电信接口（如xDSL线路保护）及高压传感器供电电路中的电压箝位与稳压环节。 该器件具有良好的稳定性和可靠性，符合工业级温度范围（–65°C 至 +175°C），但需注意其动态阻抗和温度系数（TC ≈ +0.07%/°C），在高精度应用中建议加温补或校准。不适用于高频或大电流稳压主回路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 62V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ62D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 47.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 62V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 55 欧姆 |
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