Datasheet下载- 型号： 3EZ6.8D5E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.8D5E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.8D5E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.8D5E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.8D5E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.8D5E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ6.8D5E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 6.8V、3W 表面贴装齐纳二极管，具有 ±5% 精度（D5等级）、低动态阻抗和良好温度稳定性。其典型应用场景包括： - 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定基准电压；在简单线性稳压器中用作误差检测或输出钳位元件。 - 过压保护（OVP）：并联于敏感IC电源端（如MCU、运放），当输入电压异常升高（如ESD或浪涌）时，齐纳击穿导通，配合限流电阻泄放能量，防止后级器件损坏。 - 电平钳位与波形整形：在通信接口（如RS-232接收端）、逻辑电平转换或脉冲电路中，将信号峰值限制在6.8V，避免超范围输入。 - 电源反馈环路：用于低成本开关电源（如反激式适配器）的初级侧反馈网络，辅助实现输出电压调节（需搭配光耦及TL431等协同工作）。 该器件采用 DO-214AA（SMA）封装，适合自动化贴片生产；TR12表示编带卷盘包装（每卷10,000只），适用于批量制造。注意其最大功耗为3W，实际应用中需根据环境温度与散热条件降额使用，并确保串联限流电阻值经计算满足功耗与响应速度要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.8V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.8D5E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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