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  • 型号: 3EZ6.8D5/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.8D5/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.8D5/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.8D5/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ6.8D5/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ6.8D5/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ6.8D5/TR8是一款6.8V、0.5W(500mW)通孔式齐纳二极管,采用DO-41封装,±5%电压容差(即标称稳压值6.8V,实际范围约6.46V–7.14V),典型动态阻抗低,温度系数较小。

其主要应用场景包括:  
1. 低压直流稳压:在低成本、小电流(≤70mA)电源中作基准电压源或简易稳压器,如传感器供电、MCU复位电路中的参考电压。  
2. 过压保护与钳位:与TVS或限流电阻配合,用于保护后级敏感器件(如运放输入、ADC引脚)免受瞬态过压(如ESD、开关噪声)损害。  
3. 电压检测与基准:在简单模拟电路中提供稳定参考电平,用于比较器阈值设定、电池电压监测(如3.3V/5V系统中监控6.8V辅助轨)。  
4. 浪涌吸收与箝位电路:在继电器线圈、小功率电感负载关断时吸收反向电动势,防止MOSFET或驱动IC击穿。  

该器件适用于工业控制、消费电子、通信设备等对成本敏感、功耗较低且无需高精度或大电流能力的场合。注意其额定功率仅0.5W,需确保实际功耗(P = Vz × Iz)留有余量,并考虑散热条件;不推荐用于主电源稳压或高频/大纹波环境。TR8表示编带包装,适合自动化贴装(但DO-41为直插封装,通常手工或波峰焊,TR8可能为特殊订制,实际应用中仍以通孔安装为主)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 6.8V 5% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ6.8D5/TR8

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

5µA @ 4V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

6.8V

阻抗(最大值)(Zzt)

2 欧姆

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