Datasheet下载- 型号： 3EZ6.8D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.8D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.8D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.8D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.8D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.8D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ6.8D10/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 6.8V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低压模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定基准电压； 2. 过压保护：与TVS或限流电阻配合，钳位电源线或I/O端口瞬态电压（如ESD、浪涌），防止后级IC损坏； 3. 电源稳压辅助：在小功率线性稳压器（如LDO）的反馈网络或输出端作精密箝位，提升输出电压精度与稳定性； 4. 工业控制与通信模块：适用于PLC输入接口、RS-485收发器保护、光模块供电监控等对可靠性和温度稳定性（工作结温达175°C）要求较高的场景； 5. 消费电子与汽车电子：在车载信息娱乐系统、车身控制模块中用于12V/5V电源轨的局部稳压与ESD防护（符合AEC-Q200应力测试要求）。 该器件具备高可靠性、宽温域（–65°C 至 +175°C）及良好浪涌承受能力（如40A@8.3ms），适合空间受限且需长期稳定运行的嵌入式系统。注意设计时需合理计算功耗并确保散热，避免持续工作在额定功率极限。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.8V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.8D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 4V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2 欧姆 |
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