Datasheet下载- 型号： 3EZ6.2D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ6.2D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ6.2D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ6.2D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ6.2D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ6.2D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ6.2D10E3/TR12是一款额定电压为6.2V、功率为3W的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或电源次级侧提供稳定参考电压，如用于线性稳压器的误差放大器基准、ADC/DAC参考源校准等。 2. 过压保护（OVP）：与可控硅（SCR）或晶闸管配合构成“撬棍”（Crowbar）保护电路，在电源异常升压时触发短路保护，防止后级器件损坏。 3. 浪涌/ESD钳位：在接口电路（如RS-232、传感器输入端）中并联使用，将瞬态高压钳位于6.2V附近，吸收浪涌能量（需配合限流电阻）。 4. 信号电平限制与整形：在模拟前端或逻辑电平转换电路中，限制信号幅值，防止超范围输入损坏运放或MCU GPIO。 该器件具有±5%电压容差（6.2V）、低动态阻抗及良好温度稳定性，适用于工业控制、通信设备、仪器仪表及汽车电子（非安全关键系统）等对成本和可靠性有平衡要求的场景。注意：因属3W器件，需确保PCB散热设计合理，避免长时间满载工作导致热失效。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 6.2V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ6.2D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 3V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 1.5 欧姆 |
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