Datasheet下载- 型号： 3EZ51D/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ51D/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ51D/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ51D/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ51D/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ51D/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ51D/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为51 V，额定功率为3 W（DO-41封装），采用TR12卷带包装，适用于自动化贴片生产。 其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为运算放大器、ADC/DAC 或传感器电路提供稳定的51 V参考电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或MOSFET配合，用于工业控制、通信设备或电源模块的输入端瞬态过压钳位，防止后级电路受损； 3. 浪涌吸收与箝位：在继电器线圈、感性负载关断时吸收反向电动势，抑制电压尖峰； 4. 反馈回路补偿：在开关电源（如反激式适配器）的光耦反馈侧，辅助设定输出电压阈值； 5. 测试与校准设备：作为便携式高压测试仪中的精密稳压元件，保障测量基准稳定性。 该器件具有良好的温度稳定性（典型TC ≈ ±0.06%/°C）、低动态阻抗（约120 Ω @ IZ = 10 mA）及符合AEC-Q200（部分批次）的可靠性，适用于工业、通信及汽车电子等对长期稳定性要求较高的场景。需注意合理设计散热（如PCB铜箔面积）并确保工作电流在5–100 mA推荐范围内，以兼顾稳压精度与寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 51V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ51D/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 38.8V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 51V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 48 欧姆 |
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