Datasheet下载- 型号： 3EZ5.6DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.6DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.6DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.6DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.6DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.6DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ5.6DE3/TR12是一款5.6V、3W通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装，具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗线性稳压电路中为运算放大器、ADC/DAC或传感器提供稳定参考电压；亦可作为简单并联稳压器，为小电流负载（如微控制器复位电路、偏置网络）维持5.6V稳定电压。 2. 过压保护与钳位：常用于ESD防护或瞬态电压抑制前端，将信号线或电源轨电压钳位于5.6V附近，防止后级IC（如MCU I/O口、通信接口）因浪涌或反向电压受损。 3. 浪涌吸收与箝位电路：在继电器驱动、电感负载开关等场合，配合续流二极管吸收反电动势，限制关断时的尖峰电压。 4. 温度补偿设计：5.6V齐纳二极管具有近零温度系数（约0 mV/°C），常与正温度系数元件（如硅二极管）搭配，构建高稳定性基准源，适用于精密仪器、工业传感器及医疗电子中的温漂敏感电路。 该器件具备优良的长期稳定性与可靠性，适用于工业控制、电源管理、汽车电子（非安全关键系统）、测试设备及消费类电源适配器等场景。注意其为通孔封装（TR12表示编带卷装），适合传统PCB插件工艺；使用时需确保功耗不超过3W，并合理布局散热。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.6V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.6DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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