Datasheet下载- 型号： 3EZ5.6D2/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ5.6D2/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ5.6D2/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ5.6D2/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ5.6D2/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ5.6D2/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ5.6D2/TR8 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 5.6V、3W 表面贴装齐纳二极管（单管），采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR8 表示卷带盘装）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）中提供稳定5.6V基准电压，温度系数较低（约±0.05%/°C），适合对精度要求适中的场合。 2. 过压保护（OVP）：常用于电源输入端或敏感IC引脚前，配合限流电阻构成简易钳位电路，防止瞬态过压（如ESD、开关噪声）损坏后级器件。 3. 浪涌抑制与箝位：在通信接口（如RS-232、CAN总线收发器）或工业控制板中，与TVS或RC网络协同实现快速电压箝位，保障系统可靠性。 4. 电源反馈环路：在低成本线性稳压器（如LDO）或开关电源的反馈分压网络中，替代精密基准源，简化设计并降低成本。 该器件具有良好的浪涌承受能力（IEC 61000-4-5 Level 3）、低动态阻抗（≈7Ω）及高可靠性，适用于工业控制、消费电子、汽车电子（非安全关键系统）及通信设备等中低端稳压与保护场景。注意其为通用级器件，不适用于高精度、低温漂或AEC-Q200车规级应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 5.6V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ5.6D2/TR8 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 5.6V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 2.5 欧姆 |
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