Datasheet下载- 型号： 3EZ4.7D5E3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.7D5E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.7D5E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.7D5E3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.7D5E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.7D5E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的型号3EZ4.7D5E3/TR8是一款4.7V、5%容差、0.5W功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗模拟电路或传感器供电中，为ADC参考源、运算放大器偏置或微控制器复位电路提供稳定4.7V基准电压； 2. 过压保护与箝位：配合TVS或限流电阻，用于保护后级敏感器件（如MCU I/O口、通信接口）免受瞬态浪涌或ESD冲击，将电压钳位在约4.7V附近； 3. 电源稳压辅助：在简单线性稳压器（如78L05）的反馈或误差检测环节中，作为低成本稳压元件，提升输出精度或实现多级稳压； 4. 电平转换与信号整形：在数字逻辑接口中，用于限制信号摆幅（如将5V TTL信号安全适配至4.7V工作域器件），或构建简易稳压限幅电路。 该器件具有良好的温度稳定性（典型TC ≈ ±0.05%/°C）和可靠的老化特性，适用于工业控制、仪器仪表、通信模块及消费电子中的中低频、中小电流（≤100mA）稳压/保护场景。注意需合理设计限流电阻以确保工作在额定功率内，并避免长期满载运行以保障寿命。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.7V 5% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.7D5E3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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