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  • 型号: 3EZ4.7D2E3/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.7D2E3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.7D2E3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.7D2E3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ4.7D2E3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ4.7D2E3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ4.7D2E3/TR8是一款4.7V、1W额定功率的齐纳二极管(单管),采用DO-41封装,AEC-Q200兼容(部分批次),具有±5%电压容差和低动态阻抗特性。其典型应用场景包括:  
1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC参考源、电源监控电路)中提供稳定4.7V基准电压;  
2. 过压保护(OVP):与TVS或限流电阻配合,用于保护后级IC(如MCU、运放)免受瞬态过压(如ESD、开关噪声)损害;  
3. 电平钳位与限幅:在通信接口(如RS-232接收端、I²C上拉电路)中限制信号摆幅,防止器件输入超限;  
4. 电源反馈环路:在低成本线性稳压器(如LDO辅助反馈)或开关电源次级侧取样电路中实现简单稳压;  
5. 工业与汽车电子:因具备一定温度稳定性(工作结温−65℃~+175℃)及可靠性,适用于车载信息娱乐系统电源管理、工业PLC模块的辅助供电稳压等严苛环境。  
注:TR8表示卷带包装(Tape & Reel),适用于自动化贴片生产;实际应用需注意功耗降额(高温下需降低功率)、散热设计及串联限流电阻计算,避免齐纳击穿电流超标。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 4.7V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ4.7D2E3/TR8

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

20µA @ 1V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,500

电压-齐纳(标称值)(Vz)

4.7V

阻抗(最大值)(Zzt)

4 欧姆

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