Datasheet下载- 型号： 3EZ4.7D10E3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.7D10E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.7D10E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.7D10E3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.7D10E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.7D10E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.7D10E3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的单齐纳二极管，标称稳压值为4.7V，功率为3W，DO-41封装，带AEC-Q200兼容性（部分批次），适用于工业及汽车电子环境。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定4.7V基准电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或串联限流电阻配合，钳位敏感IC（如MCU I/O口、通信接口）的瞬态过压，防止ESD或浪涌损坏； 3. 电源反馈环路：在简易线性稳压器或开关电源次级侧用于电压检测与误差放大反馈； 4. 电平转换与箝位：在逻辑电平适配中将信号限制在4.7V以内，保护3.3V/5V器件； 5. 汽车电子辅助电路：因具备宽温范围（-65℃~+175℃）和高可靠性，常用于车载信息娱乐系统、车身控制模块中的稳压与保护电路。 该器件具有低动态阻抗、良好温度稳定性及高浪涌承受能力（如8.3ms单脉冲达50A），适合对成本、可靠性和空间有要求的中低功率应用。注意需配合限流电阻使用，避免超功耗工作。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.7V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.7D10E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 20µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4 欧姆 |
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