Datasheet下载- 型号： 3EZ4.3DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.3DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.3DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.3DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.3DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.3DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ4.3DE3/TR8是一款4.3V、3W功率的齐纳二极管（单管），采用DO-41封装，AEC-Q200兼容（符合汽车级可靠性标准），带卷带包装（TR8）。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源、运算放大器偏置）提供稳定4.3V基准电压，适用于对精度和温漂有一定要求的工业控制与汽车电子模块。 2. 过压保护（OVP）钳位：在电源输入端或敏感IC接口处，用作瞬态电压抑制辅助器件，配合TVS或限流电阻，将异常电压钳位于≈4.3V，防止后级MCU、通信芯片（如CAN/LIN收发器）损坏。 3. 汽车电子系统：得益于AEC-Q200认证，广泛用于车身控制模块（BCM）、照明驱动、仪表盘电源管理及车载传感器供电电路中，实现低成本、可靠的稳压与保护。 4. 工业电源与辅助电源：在开关电源次级反馈回路、待机电源（+5V/3.3V LDO前级）或隔离DC-DC的误差放大参考端，提供高可靠基准点。 注：该器件最大齐纳电流约698mA（P=3W/Vz），需注意散热设计；不适用于高频或精密基准场合（如高分辨率DAC参考），建议搭配滤波电容提升噪声性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.3V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.3DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 30µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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