Datasheet下载- 型号： 3EZ4.3DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ4.3DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ4.3DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ4.3DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ4.3DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ4.3DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ4.3DE3/TR12 是 Microsemi Corporation（现已被 Microchip 收购）推出的 4.3V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，符合 AEC-Q101 可靠性标准（部分批次），具有低动态阻抗、良好温度稳定性和高浪涌耐受能力。 其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为传感器、ADC/DAC 或微控制器提供精确的4.3V参考电压； 2. 过压保护（Clamping）：与TVS或串联限流电阻配合，箝位敏感电路节点（如I/O口、通信线）的瞬态电压，防止ESD或感应浪涌损坏； 3. 电源轨箝位：用于5V系统中限制逻辑电平或模拟信号幅值，避免超出后级器件绝对最大额定值； 4. 反馈环路稳压：在开关电源（如反激式辅助绕组反馈）或LDO中作简单稳压元件，提升输出精度； 5. 工业与汽车电子：因具备AEC-Q101兼容性及宽温范围（-65°C ~ +175°C），适用于车载信息娱乐电源、车身控制模块（BCM）及工业PLC接口保护等严苛环境。 该器件不适用于大电流稳压主回路（需搭配三端稳压器或LDO），但凭借高可靠性、小尺寸和成熟工艺，在成本敏感且空间受限的嵌入式系统中广泛用作精密箝位与基准源。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 4.3V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ4.3DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 30µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.3V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 4.5 欧姆 |
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