Datasheet下载- 型号： 3EZ39DE3/TR8
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ39DE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ39DE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ39DE3/TR8封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ39DE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ39DE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ39DE3/TR8是一款39V、1.3W通孔式齐纳二极管，采用DO-41封装。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源中为模拟电路（如传感器信号调理、ADC参考源）提供稳定39V基准电压；常用于线性稳压器的误差放大器偏置或反馈网络。 2. 过压保护（OVP）：与晶闸管（SCR）或三端双向可控硅（TRIAC）配合构成“撬棍电路”（Crowbar），当输入电压异常升高至39V左右时触发保护，短路电源输出以保护后级敏感器件。 3. 浪涌箝位：在工业控制、通信接口（如RS-485收发器供电侧）中，与TVS或限流电阻协同，限制瞬态高压（如EFT、ESD感应电压）不超过39V，提升系统鲁棒性。 4. 电平转换与偏置：在分立模拟电路中为运算放大器、比较器提供固定偏置电压，或实现简单电平移位功能。 该器件具有±5%电压容差、低动态阻抗及良好温度稳定性（TC ≈ 0.07%/°C），适用于工业温度范围（–65°C 至 +175°C），常见于工业电源、仪器仪表、电机驱动板及军工/航空电子等对可靠性要求较高的场景。注意其为通孔封装（TR8表示编带卷装），适合传统PCB装配工艺。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 39V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ39DE3/TR8 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 29.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 28 欧姆 |
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