Datasheet下载- 型号： 3EZ39D10/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ39D10/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ39D10/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ39D10/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ39D10/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ39D10/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现已被Microchip收购）的3EZ39D10/TR12是一款3.0W表面贴装齐纳二极管，标称齐纳电压为39V（容差±5%），典型动态阻抗低，具有良好的稳压特性和热稳定性。其应用场景主要包括： 1. 过压保护与钳位电路：常用于电源输入端或敏感IC接口处，将瞬态高压（如ESD、EFT或开关噪声）钳位在39V安全水平，防止后级器件损坏。 2. 基准电压源：在中等精度要求的模拟电路（如传感器调理电路、ADC参考分压网络）中，提供稳定的39V基准点，配合限流电阻使用。 3. 线性稳压辅助电路：在LDO或分立稳压器中作为误差放大器的参考或偏置电压源，提升输出电压精度与温度稳定性。 4. 工业控制与通信设备：适用于PLC模块、RS-485收发器保护、基站电源监控等对可靠性与浪涌耐受性要求较高的场景；TR12封装（SMA/DO-214AC）便于自动化贴片，适合批量生产。 需注意：该器件为单齐纳结构，不集成TVS特性，故在高能量浪涌场合建议配合保险丝或TVS协同使用；实际应用中应严格按数据手册降额设计（如功率≤2.4W@75°C），并确保PCB散热良好。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 39V 10% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ39D10/TR12 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 29.7V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 28 欧姆 |
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