Datasheet下载- 型号： 3EZ33DE3/TR12
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ33DE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ33DE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ33DE3/TR12封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3EZ33DE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3EZ33DE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3EZ33DE3/TR12 是 Microsemi Corporation（现属 Microchip Technology）推出的 33V、3W 表面贴装齐纳二极管，采用 DO-214AC（SMA）封装，带卷带包装（TR12）。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电源电路中为ADC、DAC、传感器或微控制器提供稳定的33V参考电压，适用于精度要求适中、成本敏感的工业控制板或仪表。 2. 过压保护（OVP）：常用于输入端并联钳位，防止后级电路（如LDO、运放、MCU I/O口）遭受瞬态高压（如ESD、开关噪声或浪涌）损坏，尤其适合DC-DC转换器输入或电池供电设备的防护设计。 3. 浪涌吸收与箝位：在继电器线圈、小功率电感负载关断时，作为续流/箝位元件，抑制反向电动势尖峰，提升系统可靠性。 4. 信号电平限制：在模拟信号调理前端（如传感器接口），将信号幅度限制在安全范围内，避免后续电路饱和或损坏。 该器件具有±5%标称电压容差、低动态阻抗及良好热稳定性，适用于工业自动化、通信电源模块、医疗设备辅助电源及消费类电子中的基础稳压与保护环节。需注意其3W额定功率要求合理散热设计（如PCB铜箔面积），且不适用于高精度基准或高频动态应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 33V 20% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ33DE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 25.1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±20% |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 33V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 20 欧姆 |
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