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  • 型号: 3EZ30D2E3/TR12
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ30D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ30D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ30D2E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ30D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ30D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ30D2E3/TR12是一款30V、1W额定功率的单齐纳二极管(表面贴装,DO-214AC/SMA封装),具有±2%精密容差(“D”级)、低动态阻抗和良好温度稳定性。

其典型应用场景包括:  
1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC/DAC参考源、精密电源反馈网络)中提供稳定30V基准电压;  
2. 过压保护(OVP):与TVS或串联限流电阻配合,用于保护后级IC(如微控制器IO口、运放输入端)免受瞬态过压冲击;  
3. 电源钳位与箝位电路:在开关电源次级侧或DC-DC转换器中,限制输出电压峰值,防止器件击穿;  
4. 工业控制与通信模块:适用于PLC输入接口、RS-485收发器供电轨稳压、光耦隔离电源反馈等对电压精度和可靠性要求较高的场合;  
5. 汽车电子(AEC-Q200兼容版本需确认,但该型号常用于车载辅助系统):如车载信息娱乐系统中的电源监控、电池电压监测分压参考等非安全关键应用。

注:TR12表示卷带包装(12mm载带),便于自动化贴片生产。实际选用时需注意其最大反向电流(IZM≈33mA)、功耗降额及PCB散热设计,避免长期满负荷工作导致参数漂移。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3W 30V 2% DO-41

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf

产品图片

产品型号

3EZ30D2E3/TR12

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

500nA @ 22.5V

供应商器件封装

DO-41

功率-最大值

3W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±2%

封装/外壳

DO-204AL,DO-41,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

4,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

30V

阻抗(最大值)(Zzt)

16 欧姆

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