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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供3EZ30D2E3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3EZ30D2E3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.3EZ30D2E3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3EZ30D2E3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3EZ30D2E3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下)的3EZ30D2E3/TR12是一款30V、1W额定功率的单齐纳二极管(表面贴装,DO-214AC/SMA封装),具有±2%精密容差(“D”级)、低动态阻抗和良好温度稳定性。 其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗模拟电路(如传感器信号调理、ADC/DAC参考源、精密电源反馈网络)中提供稳定30V基准电压; 2. 过压保护(OVP):与TVS或串联限流电阻配合,用于保护后级IC(如微控制器IO口、运放输入端)免受瞬态过压冲击; 3. 电源钳位与箝位电路:在开关电源次级侧或DC-DC转换器中,限制输出电压峰值,防止器件击穿; 4. 工业控制与通信模块:适用于PLC输入接口、RS-485收发器供电轨稳压、光耦隔离电源反馈等对电压精度和可靠性要求较高的场合; 5. 汽车电子(AEC-Q200兼容版本需确认,但该型号常用于车载辅助系统):如车载信息娱乐系统中的电源监控、电池电压监测分压参考等非安全关键应用。 注:TR12表示卷带包装(12mm载带),便于自动化贴片生产。实际选用时需注意其最大反向电流(IZM≈33mA)、功耗降额及PCB散热设计,避免长期满负荷工作导致参数漂移。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 3W 30V 2% DO-41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10926-sa5-67-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 3EZ30D2E3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500nA @ 22.5V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 30V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 16 欧姆 |